来源:Capacitance Modeling in Dual Field-Plate Power GaN HEMT for Accurate Switching Behavior (TED 16年)
摘要
本文提出了一种基于表面电势的紧凑模型,用于描述具有栅极和源极场板(FP)结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(…
Problem: 1261. 在受污染的二叉树中查找元素 思路
👨🏫 灵神题解
💖 二进制
时间复杂度:初始化为 O ( 1 ) O(1) O(1);find 为 O ( m i n ( h , l o g 2 t a r g e t ) O(min(h,log_2target) O(min(h,log2targ…